SI5402BDC-T1-GE3

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SI5402BDC-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.042 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.3 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 6.10 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装公制 3216

封装 1206

外形尺寸

长度 3.2 mm

宽度 1.6 mm

封装公制 3216

封装 1206

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: SI5402BDC-T1-GE3
描述:VISHAY  SI5402BDC-T1-GE3  场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 6.1A

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