SI6433BDQ-T1-GE3

SI6433BDQ-T1-GE3图片1
SI6433BDQ-T1-GE3图片2
SI6433BDQ-T1-GE3图片3
SI6433BDQ-T1-GE3图片4
SI6433BDQ-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

极性 P-Channel

漏源极电压Vds -12.0 V

连续漏极电流Ids -4.80 A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSSOP-8

外形尺寸

封装 TSSOP-8

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI6433BDQ-T1-GE3
型号: SI6433BDQ-T1-GE3
描述:P沟道2.5 -V (G -S )的MOSFET P-Channel 2.5-V G-S MOSFET

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司