漏源极电阻 0.028 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.8 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 100 V
工作温度Max 175 ℃
引脚数 8
封装 SOIC
RoHS标准 RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
数据手册
SI4484EY-T1-GE3
Vishay Semiconductor 威世
当前型号
SI4102DY-T1-GE3
威世
类似代替
IRF7853PBF
英飞凌
功能相似