SI4484EY-T1-GE3

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SI4484EY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.028 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 3.8 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 100 V

工作温度Max 175 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 SOIC

外形尺寸

封装 SOIC

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SI4484EY-T1-GE3
型号: SI4484EY-T1-GE3
描述:Trans MOSFET N-CH 100V 4.8A 8Pin SOIC N T/R
替代型号SI4484EY-T1-GE3
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