SI7454CDP-T1-GE3

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SI7454CDP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0252 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 4.1 W

阈值电压 1.2 V

漏源极电压Vds 100 V

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 PowerPAK SO

外形尺寸

封装 PowerPAK SO

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SI7454CDP-T1-GE3
型号: SI7454CDP-T1-GE3
描述:VISHAY  SI7454CDP-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 22 A, 100 V, 25200 µohm, 10 V, 1.2 V
替代型号SI7454CDP-T1-GE3
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