SI6473DQ-T1-E3

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SI6473DQ-T1-E3概述

Trans MOSFET P-CH Si 20V 6.2A 8Pin TSSOP T/R

**Features:

* **Halogen-Free Option Available

* Low-Side Switching

* Low On-Resistance: 5 Ω

* Low Threshold: 0.9 V Typ.

* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.

* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated

* ESD Protected: 2000 V

**Applications:

**

* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories

* Battery Operated Systems

* Power Supply Converter Circuits

* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers


艾睿:
Trans MOSFET P-CH Si 20V 6.2A 8-Pin TSSOP T/R


Allied Electronics:
MOSFET; TSSOP8 20V P-CH 2.5V GS Rated


SI6473DQ-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.0215 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 0.08 W

栅源击穿电压 ±8.00 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 TSSOP-8

外形尺寸

长度 3.1 mm

高度 1.05 mm

封装 TSSOP-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI6473DQ-T1-E3
型号: SI6473DQ-T1-E3
描述:Trans MOSFET P-CH Si 20V 6.2A 8Pin TSSOP T/R

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