SI5402DC-T1-E3

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SI5402DC-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 35.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 2.50 W

漏源击穿电压 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids -6.70 A to 6.70 A

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: SI5402DC-T1-E3
描述:Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8Pin Chip FET T/R

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