SI3410DV-T1-E3

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SI3410DV-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.023 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 8.00 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 6

封装 TSOP

外形尺寸

封装 TSOP

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: SI3410DV-T1-E3
描述:N通道30 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 30-V D-S MOSFET

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