SI7448DP-T1-GE3

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SI7448DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.0065 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.9 W

阈值电压 600 mV

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 22.0 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 8

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: SI7448DP-T1-GE3
描述:MOSFET N-CH 20V 13.4A PPAK SO-8

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