SI5853CDC-T1-E3
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SI5853CDC-T1-E3
SI5853CDC-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
极性
P-Channel
漏源极电压Vds
-20.0 V
连续漏极电流Ids
-4.00 A
符合标准
RoHS标准
RoHS Compliant
含铅标准
Lead Free
数据手册
在线购买SI5853CDC-T1-E3
型号:
SI5853CDC-T1-E3
制造商:
Vishay Semiconductor 威世
描述:
MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
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