SIE844DF-T1-E3

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SIE844DF-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.0058 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 5.2 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 44.5 A

上升时间 10.0 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 10

封装 PolarPAK-10

外形尺寸

封装 PolarPAK-10

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SIE844DF-T1-E3
型号: SIE844DF-T1-E3
描述:N通道30 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 30-V D-S MOSFET
替代型号SIE844DF-T1-E3
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