漏源极电阻 0.0033 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 69.4 W
阈值电压 1.2 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 32.0 A
工作温度Max 150 ℃
引脚数 8
封装 SOIC
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册
SIJ400DP-T1-GE3
Vishay Semiconductor 威世
当前型号
SIR466DP-T1-GE3
威世
类似代替