SIJ400DP-T1-GE3

SIJ400DP-T1-GE3图片1
SIJ400DP-T1-GE3图片2
SIJ400DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.0033 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 69.4 W

阈值电压 1.2 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 32.0 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 SOIC

外形尺寸

封装 SOIC

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIJ400DP-T1-GE3
型号: SIJ400DP-T1-GE3
描述:VISHAY SIJ400DP-T1-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 32A, 30V, 3.3mohm, 10V, 1.2V
替代型号SIJ400DP-T1-GE3
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

SIJ400DP-T1-GE3

Vishay Semiconductor 威世

当前型号

当前型号

SIR466DP-T1-GE3

威世

类似代替

SIJ400DP-T1-GE3和SIR466DP-T1-GE3的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台