SI4682DY-T1-E3
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SI4682DY-T1-E3
SI4682DY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
极性
N-Channel
漏源极电压Vds
30.0 V
连续漏极电流Ids
16.0 A
封装参数
引脚数
8
符合标准
RoHS标准
RoHS Compliant
含铅标准
Lead Free
数据手册
在线购买SI4682DY-T1-E3
型号:
SI4682DY-T1-E3
制造商:
Vishay Semiconductor 威世
描述:
MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
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