SI5449DC-T1-E3

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SI5449DC-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 85.0 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 1.30 W

漏源极电压Vds -30.0 V

栅源击穿电压 ±12.0 V

连续漏极电流Ids -4.30 A

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: SI5449DC-T1-E3
描述:Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.1A 8Pin Chip FET T/R

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