SI3457BDV-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

SI3457BDV-T1-GE3图片1

SI3457BDV-T1-GE3图片2

SI3457BDV-T1-GE3图片3

SI3457BDV-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

极性 P-Channel

漏源极电压Vds -30.0 V

连续漏极电流Ids -3.70 A

封装参数

引脚数 6

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI3457BDV-T1-GE3

型号： SI3457BDV-T1-GE3

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：Trans MOSFET P-CH 30V 3.7A 6Pin TSOP T/R