SIJ484DP-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SIJ484DP-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 0.0052 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 5 W

阈值电压 1.2 V

漏源极电压Vds 30 V

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 8

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIJ484DP-T1-GE3

型号： SIJ484DP-T1-GE3

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

替代型号SIJ484DP-T1-GE3

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