SI3441BDV-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SI3441BDV-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.09 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 860 mW

漏源极电压Vds -20.0 V

连续漏极电流Ids -2.45 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSOP

外形尺寸

封装 TSOP

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SI3441BDV-T1-GE3

型号： SI3441BDV-T1-GE3

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：VISHAY SI3441BDV-T1-GE3 晶体管, P沟道

替代型号SI3441BDV-T1-GE3

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SI3441BDV-T1-GE3

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