SUD40N02-08-E3

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SUD40N02-08-E3概述

VISHAY  SUD40N02-08-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 20 V, 8.5 mohm, 4.5 V, 600 mV

**Features:

* **Halogen-Free Option Available

* Low-Side Switching

* Low On-Resistance: 5 Ω

* Low Threshold: 0.9 V Typ.

* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.

* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated

* ESD Protected: 2000 V

**Applications:

**

* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories

* Battery Operated Systems

* Power Supply Converter Circuits

* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers


e络盟:
VISHAY  SUD40N02-08-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 20 V, 8.5 mohm, 4.5 V, 600 mV


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 40A 3-Pin2+Tab DPAK


Allied Electronics:
MOSFET; N-Channel 20V 14MOHM@2.5VGS PWMOptimized


SUD40N02-08-E3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.0068 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 71 W

阈值电压 600 mV

输入电容 2660pF @20V

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20 V

栅源击穿电压 ±12.0 V

连续漏极电流Ids 40.0 A

热阻 2.1℃/W RθJC

下降时间 35 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252

外形尺寸

长度 6.73 mm

高度 2.38 mm

封装 TO-252

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SUD40N02-08-E3
型号: SUD40N02-08-E3
描述:VISHAY  SUD40N02-08-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 20 V, 8.5 mohm, 4.5 V, 600 mV

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