SI7882DP-T1-E3

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SI7882DP-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.0055 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 5 W

阈值电压 1.4 V

漏源极电压Vds 12 V

连续漏极电流Ids 13.0 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC

外形尺寸

封装 SOIC

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SI7882DP-T1-E3
型号: SI7882DP-T1-E3
描述:VISHAY SI7882DP-T1-E3 MOSFET Transistor, N Channel, 22A, 12V, 5.5mohm, 4.5V, 1.4V

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