SUM75N15-18P-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SUM75N15-18P-E3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 0.018 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 312.5 W

阈值电压 4.5 V

漏源极电压Vds 150 V

连续漏极电流Ids 75.0 A

上升时间 10 ns

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263

外形尺寸

封装 TO-263

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SUM75N15-18P-E3

型号： SUM75N15-18P-E3

描述：N沟道150 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 150-V D-S MOSFET

替代型号SUM75N15-18P-E3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SUM75N15-18P-E3 Vishay Semiconductor 威世	当前型号	当前型号
IRFS4321PBF 英飞凌	功能相似	SUM75N15-18P-E3和IRFS4321PBF的区别
IRFS4115PBF 英飞凌	功能相似	SUM75N15-18P-E3和IRFS4115PBF的区别

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SUM75N15-18P-E3

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