SI5475DC-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SI5475DC-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 31.0 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 2.50 W

栅源击穿电压 ±8.00 V

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI5475DC-T1-E3

型号： SI5475DC-T1-E3

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：Trans MOSFET P-CH 12V 5.5A 8Pin Chip FET T/R