SI9424BDY-T1-GE3

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SI9424BDY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.014 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 1.25 W

漏源极电压Vds -20.0 V

连续漏极电流Ids 7.10 A, -7.10 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 SOIC

外形尺寸

封装 SOIC

其他

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买SI9424BDY-T1-GE3
型号: SI9424BDY-T1-GE3
描述:Trans MOSFET P-CH 20V 5.6A 8Pin SOIC N T/R

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