SUP85N02-03-E3

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SUP85N02-03-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.003 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 250 W

阈值电压 450 mV

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20.0 V

栅源击穿电压 ±8.00 V

连续漏极电流Ids 85.0 A

工作温度Max 175 ℃

封装参数

引脚数 3

封装 TO-220

外形尺寸

封装 TO-220

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SUP85N02-03-E3
型号: SUP85N02-03-E3
描述:N通道20 -V (D -S ) 175度Celcious MOSFET N-Channel 20-V D-S 175 Degree Celcious MOSFET

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