SUD50N03-12P-E3

SUD50N03-12P-E3图片1
SUD50N03-12P-E3图片2
SUD50N03-12P-E3图片3
SUD50N03-12P-E3图片4
SUD50N03-12P-E3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.012 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 46.8 mW

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 17.5 A

上升时间 15 ns

下降时间 12 ns

工作温度Max 175 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252

外形尺寸

封装 TO-252

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SUD50N03-12P-E3
型号: SUD50N03-12P-E3
描述:VISHAY  SUD50N03-12P-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 17.5 A, 30 V, 12 mohm, 10 V, 3 V
替代型号SUD50N03-12P-E3
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

SUD50N03-12P-E3

Vishay Semiconductor 威世

当前型号

当前型号

IPD135N03L G

英飞凌

功能相似

SUD50N03-12P-E3和IPD135N03L G的区别

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司