SUP85N03-04P-E3

SUP85N03-04P-E3图片1
SUP85N03-04P-E3图片2
SUP85N03-04P-E3图片3
SUP85N03-04P-E3图片4
SUP85N03-04P-E3图片5
SUP85N03-04P-E3概述

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 30V; RDSON 0.0035Ω; ID 85A; TO-220AB; PD 166W; VGS +/-20V

**Features:

* **Halogen-Free Option Available

* Low-Side Switching

* Low On-Resistance: 5 Ω

* Low Threshold: 0.9 V Typ.

* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.

* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated

* ESD Protected: 2000 V

**Applications:

**

* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories

* Battery Operated Systems

* Power Supply Converter Circuits

* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 85A 3-Pin3+Tab TO-220AB


儒卓力:
**N-CH 30V 85A 4mOhm TO220-3 **


SUP85N03-04P-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.008 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 166 W

输入电容 4500pF @25V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 85.0 A

热阻 0.9℃/W RθJC

下降时间 35 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.51 mm

高度 15.49 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SUP85N03-04P-E3
型号: SUP85N03-04P-E3
描述:MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 30V; RDSON 0.0035Ω; ID 85A; TO-220AB; PD 166W; VGS +/-20V

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司