SQ2360EES-T1-GE3

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SQ2360EES-T1-GE3概述

VISHAY  SQ2360EES-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 4.4 A, 60 V, 0.058 ohm, 10 V, 1.5 V

The is a 60V N-channel TrenchFET® Power MOSFET. The surface-mounted LITTLE FOOT® power MOSFET uses integrated circuit and small-signal packages which have been modified to provide the heat transfer capabilities required by power devices.

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Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
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AEC-Q101 qualified
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100% Rg Tested
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100% UIS Tested
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800V ESD protection
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175°C Operating temperature
SQ2360EES-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.058 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 3 W

阈值电压 1.5 V

漏源极电压Vds 60 V

上升时间 11 ns

输入电容Ciss 295pF @25VVds

下降时间 8 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-236

外形尺寸

长度 3.04 mm

宽度 1.4 mm

高度 1.02 mm

封装 TO-236

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SQ2360EES-T1-GE3
型号: SQ2360EES-T1-GE3
描述:VISHAY  SQ2360EES-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 4.4 A, 60 V, 0.058 ohm, 10 V, 1.5 V

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