SUP60N06-12P-GE3

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SUP60N06-12P-GE3概述

N通道60 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 60-V D-S MOSFET

**Features:

* **Halogen-Free Option Available

* Low-Side Switching

* Low On-Resistance: 5 Ω

* Low Threshold: 0.9 V Typ.

* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.

* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated

* ESD Protected: 2000 V

**Applications:

**

* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories

* Battery Operated Systems

* Power Supply Converter Circuits

* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin3+Tab TO-220AB


Allied Electronics:
Mosfet, Power; 60V; 60A; Power, 100W; Rds, 0.012ohm; Halogen-Free; TO-220AB


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin3+Tab TO-220AB


SUP60N06-12P-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.019 Ω

耗散功率 100 W

输入电容 1970pF @30V

漏源极电压Vds 60 V

上升时间 11 ns

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220

外形尺寸

长度 10.51 mm

高度 15.49 mm

封装 TO-220

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SUP60N06-12P-GE3
型号: SUP60N06-12P-GE3
描述:N通道60 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 60-V D-S MOSFET

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