SIJ482DP-T1-GE3概述
VISHAY SIJ482DP-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 80 V, 0.0051 ohm, 10 V, 1.5 V
The is a 80VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for DC-to-DC primary side switch, synchronous rectification and high current switching applications.
- .
- 100% Rg tested
- .
- 100% UIS tested
- .
- Capable of operating with 5V gate drive
- .
- Halogen-free
- .
- -55 to 150°C Operating temperature range
SIJ482DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 5
漏源极电阻 0.0051 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 69.4 W
阈值电压 1.5 V
漏源极电压Vds 80 V
输入电容Ciss 2425pF @40VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 69.4 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 SO-8L
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 4.47 mm
高度 1.14 mm
封装 SO-8L
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Power Management
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买SIJ482DP-T1-GE3
型号： SIJ482DP-T1-GE3
描述：VISHAY SIJ482DP-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 80 V, 0.0051 ohm, 10 V, 1.5 V