N 通道 MOSFET，100V 至 150V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
The is a 150VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for primary switch applications.
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- 100% Rg tested
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- 100% UIS tested
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- -55 to 175°C Operating temperature range
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 150V 90A 3-Pin3+Tab TO-220AB
安富利:
Trans MOSFET N-CH 150V 90A 3-Pin3+Tab TO-220AB
漏源极电阻 0.018 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 375 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 150 V
连续漏极电流Ids 90.0 A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 4180pF @75VVds
下降时间 8 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 375 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220
长度 10.51 mm
宽度 4.65 mm
高度 15.49 mm
封装 TO-220
工作温度 -55℃ ~ 175℃
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SUP90N15-18P-E3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
IPP200N15N3GXKSA1 英飞凌 | 功能相似 | SUP90N15-18P-E3和IPP200N15N3GXKSA1的区别 |
IPP200N15N3 G 英飞凌 | 功能相似 | SUP90N15-18P-E3和IPP200N15N3 G的区别 |