SI1406DH-T1-E3

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SI1406DH-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.053 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1 W

阈值电压 450 mV

漏源极电压Vds 20 V

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-70

外形尺寸

封装 SC-70

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI1406DH-T1-E3
型号: SI1406DH-T1-E3
描述:VISHAY  SI1406DH-T1-E3  场效应管, MOSFET, N沟道, 20V

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