SUP65P04-15-E3

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SUP65P04-15-E3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.012 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 120 W

漏源极电压Vds -40.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids -65.0 A

工作温度Max 175 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220

外形尺寸

封装 TO-220

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SUP65P04-15-E3
型号: SUP65P04-15-E3
描述:VISHAY  SUP65P04-15-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, -65 A, -40 V, 0.012 ohm, -10 V, -3 V
替代型号SUP65P04-15-E3
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