SUM110N03-04P-E3

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SUM110N03-04P-E3概述

VISHAY  SUM110N03-04P-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 30 V, 0.0033 ohm, 10 V, 1 V

The is a 30VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for DC-to-DC converter and synchronous rectifier applications.

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100% Rg tested
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-55 to 175°C Operating temperature range
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Optimized for low-side synchronous rectifier operation
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New package with low thermal resistance
SUM110N03-04P-E3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.0033 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 120 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 30 V

工作温度Max 175 ℃

封装参数

引脚数 3

封装 TO-263

外形尺寸

封装 TO-263

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

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型号: SUM110N03-04P-E3
描述:VISHAY  SUM110N03-04P-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 30 V, 0.0033 ohm, 10 V, 1 V

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