SQ1420EEH-T1-GE3概述
VISHAY SQ1420EEH-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.6 A, 60 V, 0.1 ohm, 10 V, 2 V
The is a 60VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.
- .
- 100% Rg tested
- .
- AEC-Q101 qualified
- .
- 800V ESD protection
- .
- Halogen-free
- .
- -55 to 175°C Operating temperature range
SQ1420EEH-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 6
漏源极电阻 0.1 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.3 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 60 V
输入电容Ciss 172pF @25VVds
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.3 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363
外形尺寸
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
高度 1 mm
封装 SOT-363
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Automotive, Power Management, Industrial
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买SQ1420EEH-T1-GE3
型号： SQ1420EEH-T1-GE3
描述：VISHAY SQ1420EEH-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.6 A, 60 V, 0.1 ohm, 10 V, 2 V