SQ2361EES-T1-GE3

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SQ2361EES-T1-GE3概述

VISHAY  SQ2361EES-T1-GE3  晶体管, MOSFET, 汽车, P沟道, -2.5 A, -60 V, 0.115 ohm, -10 V, -2.5 V

**Features:

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* Halogen-Free According to IEC 61249-2-21 Definition**

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* TrenchFET® Gen IV Power MOSFET**

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* 100% Rg and UIS Tested**

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* Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC**

Applications:

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* Switch Mode Power Supplies**

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* Personal Computers and Servers**

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* Telecom Bricks

* VRMs and POL


欧时:
### P 通道 MOSFET,SQ 坚固系列,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor


贸泽:
MOSFET 60V 2.5A 2W P.CH 150mohm @ 10V


e络盟:
VISHAY  SQ2361EES-T1-GE3.  场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, -2.5A, SOT-23-3


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Allied Electronics:
60V 2.5A 2W P.CH 150mohm @ 10V


儒卓力:
**P-CH MOS-FET+ESD 2,5A 60V SOT23 **


SQ2361EES-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.115 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 2 W

工作温度Max 175 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SQ2361EES-T1-GE3
型号: SQ2361EES-T1-GE3
描述:VISHAY  SQ2361EES-T1-GE3  晶体管, MOSFET, 汽车, P沟道, -2.5 A, -60 V, 0.115 ohm, -10 V, -2.5 V

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