SUD40N10-25-E3概述
VISHAY SUD40N10-25-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 0.02 ohm, 10 V, 3 V
The is a 100V N-channel TrenchFET® Power MOSFET.
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- 175°C Operating temperature
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- 100% Rg Tested
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin2+Tab DPAK
富昌:
单 N 沟道 100 V 0.025 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - TO-252
Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin2+Tab DPAK
Newark:
# VISHAY SUD40N10-25-E3 MOSFET Transistor, N Channel, 40 A, 100 V, 0.02 ohm, 10 V, 3 V
SUD40N10-25-E3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.02 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 136 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 40.0 A
工作温度Max 175 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252
外形尺寸
封装 TO-252
其他
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 电源管理, Power Management
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
在线购买SUD40N10-25-E3
型号： SUD40N10-25-E3
描述：VISHAY SUD40N10-25-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 0.02 ohm, 10 V, 3 V