SI2335DS-T1-E3

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SI2335DS-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 51.0 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 750 mW

漏源极电压Vds -12.0 V

栅源击穿电压 ±8.00 V

连续漏极电流Ids -4.00 A

封装参数

封装 TO-236

外形尺寸

封装 TO-236

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI2335DS-T1-E3
型号: SI2335DS-T1-E3
描述:Trans MOSFET P-CH Si 12V 3.2A 3Pin TO-236 T/R

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