SI3445DV-T1-E3

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SI3445DV-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.042 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 2 W

漏源极电压Vds -8.00 V

栅源击穿电压 ±8.00 V

连续漏极电流Ids 5.60 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSOP

外形尺寸

封装 TSOP

其他

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SI3445DV-T1-E3
型号: SI3445DV-T1-E3
描述:VISHAY  SI3445DV-T1-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, 5.6 A, -8 V, 42 mohm, -4.5 V, -1 V
替代型号SI3445DV-T1-E3
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