SI4836DY-T1-E3

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SI4836DY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 3.00 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 1.60 W

漏源击穿电压 12.0 V

栅源击穿电压 ±8.00 V

连续漏极电流Ids 25.0 A

上升时间 41 ns

下降时间 115 ns

封装参数

引脚数 8

封装 SO

外形尺寸

封装 SO

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4836DY-T1-E3
型号: SI4836DY-T1-E3
描述:Trans MOSFET N-CH 12V 17A 8Pin SOIC N T/R

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