VISHAY SQ2319ES-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -4.6 A, -40 V, 0.061 ohm, -10 V, -2 V
The is a 40VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.
针脚数 3
漏源极电阻 0.061 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 3 W
工作温度Max 175 ℃
引脚数 3
封装 TO-236
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册