STN5PF02V概述
P沟道20V - 0.065з - 4.2A - SOT- 223 2.5V - 驱动STripFET⑩ II功率MOSFET P-channel 20V - 0.065з - 4.2A - SOT-223 2.5V - Drive STripFET⑩ II Power MOSFET
P-Channel 20V 4.2A Tc 2.5W Tc Surface Mount SOT-223
得捷:
MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT223
贸泽:
MOSFET P-Ch 20 Volt 4.6 Amp
安富利:
Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
Win Source:
MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT223
STN5PF02V中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -20.0 V
额定电流 -5.00 A
通道数 1
漏源极电阻 80 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 2.5 W
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20 V
栅源击穿电压 ±8.00 V
连续漏极电流Ids 5.00 A
上升时间 47 ns
输入电容Ciss 412pF @15VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 2.5W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-223-3
外形尺寸
长度 6.5 mm
宽度 3.5 mm
高度 1.8 mm
封装 SOT-223-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买STN5PF02V
型号： STN5PF02V
描述：P沟道20V - 0.065з - 4.2A - SOT- 223 2.5V - 驱动STripFET⑩ II功率MOSFET P-channel 20V - 0.065з - 4.2A - SOT-223 2.5V - Drive STripFET⑩ II Power MOSFET