SIS488DN-T1-GE3

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SIS488DN-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 3700 mW

阈值电压 2.2 V

输入电容Ciss 1330pF @20VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3700 mW

封装参数

引脚数 8

封装 PowerPAK-1212-8

外形尺寸

高度 1.07 mm

封装 PowerPAK-1212-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SIS488DN-T1-GE3
型号: SIS488DN-T1-GE3
描述:Trans MOSFET N-CH 40V 19.3A 8Pin PowerPAK 1212 T/R

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