STP50NE08参数规格_中文资料_数据手册PDF

STP50NE08概述

N - 沟道增强型单一特征尺寸功率MOSFET N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET

N-Channel 80V 50A Tc 150W Tc Through Hole TO-220AB

得捷:
MOSFET N-CH 80V 50A TO220AB

贸泽:
MOSFET N-Ch 80 Volt 50 Amp

Win Source:
MOSFET N-CH 80V 50A TO-220

STP50NE08中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 80.0 V

额定电流 50.0 A

通道数 1

漏源极电阻 20 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 150 W

输入电容 5.10 nF

栅电荷 110 nC

漏源极电压Vds 80 V

漏源击穿电压 80 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 50.0 A

上升时间 95 ns

输入电容Ciss 5100pF @25VVds

下降时间 30 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 65 ℃

耗散功率Max 150W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 9.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买STP50NE08

型号： STP50NE08

制造商： ST Microelectronics 意法半导体

描述：N - 沟道增强型单一特征尺寸功率MOSFET N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET

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替代型号STP50NE08

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