STP19NB20参数规格_中文资料_数据手册PDF

STP19NB20概述

N沟道200V - 0.15ohm - 19A - TO- 220 / TO- 220FP / I2PAK PowerMESH⑩ MOSFET N-CHANNEL 200V - 0.15ohm - 19A - TO-220/TO-220FP/I2PAK PowerMESH⑩ MOSFET

通孔 N 通道 19A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB

得捷:
MOSFET N-CH 200V 19A TO220AB

Win Source:
N-CHANNEL 200V - 0.15ohm - 19A - TO-220/TO-220FP/I2PAK PowerMESH MOSFET

STP19NB20中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 200 V

额定电流 19.0 A

漏源极电阻 150 mΩ

耗散功率 125W Tc

漏源极电压Vds 200 V

输入电容Ciss 1000pF @25VVds

耗散功率Max 125W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准

数据手册

在线购买STP19NB20

型号： STP19NB20

描述：N沟道200V - 0.15ohm - 19A - TO- 220 / TO- 220FP / I2PAK PowerMESH⑩ MOSFET N-CHANNEL 200V - 0.15ohm - 19A - TO-220/TO-220FP/I2PAK PowerMESH⑩ MOSFET

替代型号STP19NB20

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
STP19NB20 ST Microelectronics 意法半导体	当前型号	当前型号
BUZ30A 英飞凌	功能相似	STP19NB20和BUZ30A的区别
BUZ31 英飞凌	功能相似	STP19NB20和BUZ31的区别
IRF640S 意法半导体	功能相似	STP19NB20和IRF640S的区别