STW38NB20参数规格_中文资料_数据手册PDF

STW38NB20概述

N - 沟道增强型MOSFET的PowerMESH N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET

通孔 N 通道 38A（Tc） 180W（Tc） TO-247-3

得捷:
MOSFET N-CH 200V 38A TO247-3

STW38NB20中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 200 V

额定电流 38.0 A

耗散功率 180W Tc

输入电容 3.80 nF

栅电荷 95.0 nC

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 38.0 A

输入电容Ciss 3800pF @25VVds

耗散功率Max 180W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

STW38NB20引脚图与封装图

在线购买STW38NB20

型号： STW38NB20

制造商： ST Microelectronics 意法半导体

描述：N - 沟道增强型MOSFET的PowerMESH N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET

立即咨询

替代型号STW38NB20

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
STW38NB20 ST Microelectronics 意法半导体	当前型号	当前型号
IRFP260N 英飞凌	功能相似	STW38NB20和IRFP260N的区别
IRFP260 英飞凌	功能相似	STW38NB20和IRFP260的区别

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

STW38NB20

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

IRFP260N

英飞凌

功能相似

STW38NB20和IRFP260N的区别

IRFP260

英飞凌

功能相似

STW38NB20和IRFP260的区别