STD50NH02LT4

N沟道24V - 0.0085ohm - 50A - DPAK / IPAK的STripFET TM III功率MOSFET N-channel 24V - 0.0085ohm - 50A - DPAK/IPAK STripFET TM III Power MOSFET

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 16V 最大漏极电流Id Drain Current| 4A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.0110Ω/OhmΩ/Ohm @2A,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 1V 耗散功率Pd Power Dissipation| 80W Description & Applications| TYPICAL RDSon = 3.3 Ω EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY 100% AVALANCHE TESTED VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES GATE CHARGE MINIMIZED 描述与应用| 典型的RDS（on）=3.3Ω 非常高的dv/ dt能力 100％雪崩测试 非常低的固有电容 栅极电荷最小化

得捷:
MOSFET N-CH 24V 50A DPAK

贸泽:
MOSFET N Ch 24V 0.0085 OHM 50A

Win Source:
MOSFET N-CH 24V 50A DPAK