N - 沟道增强型单一特征尺寸功率MOSFET N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET
N-Channel 60V 60A Tc 150W Tc Through Hole TO-220AB
得捷:
MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
Win Source:
MOSFET N-CH 60V 60A TO-220
额定电压DC 60.0 V
额定电流 60.0 A
漏源极电阻 16.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 150W Tc
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 60.0 A
上升时间 125 ns
输入电容Ciss 6200pF @25VVds
耗散功率Max 150W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
封装 TO-220-3
工作温度 175℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STP60NE06-16 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
HUF75337P3 飞兆/仙童 | 功能相似 | STP60NE06-16和HUF75337P3的区别 |
HUF75333P3 飞兆/仙童 | 功能相似 | STP60NE06-16和HUF75333P3的区别 |