STD50NH02L-1

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STD50NH02L-1概述

N沟道24V - 0.0085ohm - 50A - DPAK / IPAK的STripFET TM III功率MOSFET N-channel 24V - 0.0085ohm - 50A - DPAK/IPAK STripFET TM III Power MOSFET

N-Channel 24V 50A Tc 60W Tc Through Hole I-PAK


得捷:
MOSFET N-CH 24V 50A I-PAK


Win Source:
MOSFET N-CH 24V 50A I-PAK


STD50NH02L-1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 24.0 V

额定电流 50.0 A

极性 N-CH

耗散功率 60W Tc

漏源极电压Vds 24 V

连续漏极电流Ids 50.0 A

上升时间 130 ns

输入电容Ciss 1400pF @25VVds

额定功率Max 60 W

耗散功率Max 60W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STD50NH02L-1
型号: STD50NH02L-1
描述:N沟道24V - 0.0085ohm - 50A - DPAK / IPAK的STripFET TM III功率MOSFET N-channel 24V - 0.0085ohm - 50A - DPAK/IPAK STripFET TM III Power MOSFET
替代型号STD50NH02L-1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

STD50NH02L-1

ST Microelectronics 意法半导体

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STD50NH02L

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