P沟道60V - 0.18欧姆 - 12A TO- 220 / TO- 220FP的STripFET II功率MOSFET P-CHANNEL 60V - 0.18 ohm - 12A TO-220/TO-220FP STripFET II POWER MOSFET
通孔 P 通道 8A（Tc） 225W（Tc） TO-220FP
得捷:
MOSFET P-CH 60V 8A TO220FP
贸泽:
MOSFET P-Ch 60 Volt 12 Amp
Win Source:
MOSFET P-CH 60V 8A TO-220FP
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -12.0 A
漏源极电阻 200 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 60 W
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 8.00 A
上升时间 40 ns
输入电容Ciss 850pF @25VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 225W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 9.3 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STF12PF06 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
FQPF11P06 飞兆/仙童 | 功能相似 | STF12PF06和FQPF11P06的区别 |
FQPF17P06 飞兆/仙童 | 功能相似 | STF12PF06和FQPF17P06的区别 |
SFS9Z34 飞兆/仙童 | 功能相似 | STF12PF06和SFS9Z34的区别 |