STE26NA90参数规格_中文资料_数据手册PDF

STE26NA90概述

N - CHANNEL 900V - 0.25ohm- 26A - ISOTOP快速功率MOSFET N - CHANNEL 900V - 0.25ohm- 26A - ISOTOP FAST POWER MOSFET

底座安装 N 通道 900 V 26A（Tc） 450W（Tc） ISOTOP®

得捷:
MOSFET N-CH 900V 26A ISOTOP

Win Source:
MOSFET N-CH 900V 26A ISOTOP / N-Channel 900 V 26A Tc 450W Tc Chassis Mount ISOTOP®

STE26NA90中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 900 V

额定电流 26.0 A

耗散功率 450W Tc

漏源极电压Vds 900 V

连续漏极电流Ids 26.0 A

上升时间 52.0 ns

输入电容Ciss 1770pF @25VVds

耗散功率Max 450W Tc

封装参数

安装方式 Screw

封装 ISOTOP

外形尺寸

封装 ISOTOP

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买STE26NA90

型号： STE26NA90

描述：N - CHANNEL 900V - 0.25ohm- 26A - ISOTOP快速功率MOSFET N - CHANNEL 900V - 0.25ohm- 26A - ISOTOP FAST POWER MOSFET

替代型号STE26NA90

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
STE26NA90 ST Microelectronics 意法半导体	当前型号	当前型号
STW21N90K5 意法半导体	功能相似	STE26NA90和STW21N90K5的区别
IXFN27N80Q IXYS Semiconductor	功能相似	STE26NA90和IXFN27N80Q的区别
IXFN26N90 IXYS Semiconductor	功能相似	STE26NA90和IXFN26N90的区别