MOSFET N-CH 30V 25A 8-SOIC
N-Channel 30V 25A Tc 3.2W Tc Surface Mount 8-SO
得捷:
MOSFET N-CH 30V 25A 8SO
贸泽:
MOSFET N-Ch 30 Volt 25 Amp
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 25A 8-SOIC
额定电压DC 30.0 V
额定电流 25.0 A
漏源极电阻 3.20 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 3.2 W
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±18.0 V
连续漏极电流Ids 25.0 A
上升时间 50 ns
输入电容Ciss 4450pF @25VVds
额定功率Max 3.2 W
下降时间 8 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.2W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.65 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free