STW14NM50FD参数规格_中文资料_数据手册PDF

STW14NM50FD概述

N沟道500V - 0.32ヘ - 12A - TO- 220 / FP - D2 / I2PAK - TO- 247 FDmesh⑩功率MOSFET （具有快速二极管） N-channel 500V - 0.32ヘ - 12A - TO-220/FP - D2/I2PAK - TO-247 FDmesh⑩ Power MOSFET with fast diode

N-Channel 500V 14A Tc 160W Tc Through Hole TO-247-3

得捷:
MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3

贸泽:
MOSFET N-Ch 500 Volt 12 Amp

安富利:
Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

STW14NM50FD中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 500 V

额定电流 12.0 A

通道数 1

漏源极电阻 400 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 160 W

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 12.0 A

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 1000pF @25VVds

下降时间 18 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 65 ℃

耗散功率Max 160W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STW14NM50FD

型号： STW14NM50FD

制造商： ST Microelectronics 意法半导体

描述：N沟道500V - 0.32ヘ - 12A - TO- 220 / FP - D2 / I2PAK - TO- 247 FDmesh⑩功率MOSFET （具有快速二极管） N-channel 500V - 0.32ヘ - 12A - TO-220/FP - D2/I2PAK - TO-247 FDmesh⑩ Power MOSFET with fast diode

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替代型号STW14NM50FD

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